近期，合肥布局长鑫科技的战略性长线投资收获丰厚回报，这一产业故事持续引发舆论热议。站在这场产业突破舞台中央的长鑫科技创始人朱一明，也成为各界关注的焦点。作为国内集成电路领域领军人物、教授级高级工程师，朱一明以二十余年持续深耕，先后打造兆易创新、长鑫科技两大标杆企业，在NOR闪存、DRAM内存两大核心存储赛道持续突围，为中国半导体产业自立自强开辟道路。

1972 年出生于江苏的朱一明，拥有扎实的理工学术根基。他本科、硕士就读于清华大学物理系，后取得美国纽约州立大学石溪分校电子工程硕士学位，在硅谷积累多年前沿产业经验。2005年，他选择回国创业，自此扎根国内集成电路产业，相继创办兆易创新与长鑫科技，身兼两家企业董事长，在存储芯片国产化道路上持续向前。

朱一明的创业征程，始于NOR闪存赛道的破冰。2005年创立兆易创新后，他带领团队研发出国内第一颗移动高速存储芯片，填补国内领域空白。历经多年攻坚，兆易创新成长为全球第一大NOR Flash Fabless 供应商，同时稳居中国大陆Arm 架构通用 MCU 供应商首位，实现中国存储芯片设计从追赶走向领跑。

在闪存领域站稳脚跟后，朱一明瞄准被海外长期垄断、技术壁垒极高的 DRAM 内存市场。2016 年，长鑫科技正式创立，目标直指打造自主可控的 DRAM 研发制造体系。面对重重技术封锁，朱一明带领团队采取 “跳代研发” 策略，搭建覆盖设计、制造、封装测试、模组应用的 DRAM 全链条技术体系，快速完成四代工艺平台量产。团队先后推出国内首颗 DDR 内存芯片、LPDDR 内存芯片、车载内存芯片，持续实现 DDR4、LPDDR4X 向 DDR5、LPDDR5/X 主流先进产品迭代，让长鑫成长为国内头部 DRAM 企业。

持续的技术创新与专利布局，是朱一明团队突围的核心底气。他作为核心发明人累计申请专利 169 件，授权专利 104 件，覆盖闪存、MCU、先进 DRAM 架构、新型存储器等方向。多项核心专利影响深远：2T0C 无电容 DRAM 架构、4F2 DRAM 垂直晶体管方案、堆叠式 DRAM 互联架构等技术，在多国获得授权，持续提升存储芯片集成度、运行速度并降低功耗。与此同时，长鑫持续发力前沿存储技术，多次在国际电子器件会议 IEDM 发布重磅成果，2025 年企业相关论文入选数量位列国内企业第一。

产业突围之外，朱一明始终重视人才培育与产业生态共建。2021年，他联合校友向清华大学捐赠设立“兆易创新基础学科建设基金”；推动长鑫与清华、北大、上海交大、复旦、浙大等高校深度校企合作，定向培育半导体专业人才。他积极参与行业公共事务，担任全球半导体联盟董事会董事，是第二位获此席位的中国半导体企业家，持续推动国内产业融入全球交流，促进半导体生态多元化发展。

多年坚守收获广泛认可。朱一明先后斩获中国IC设计业年度企业家、年度创新人物奖、中国经济新闻人物、安徽省劳动模范，2025年获评全国劳动模范。从兆易创新打破闪存垄断，到长鑫攻克DRAM难关，朱一明以长期主义践行国产化使命。在芯片竞争日趋激烈的当下，他带领企业持续攻坚核心存储技术，不断夯实中国集成电路产业自主底座，书写中国存储产业从无到有、由弱变强的奋斗篇章。

（中华朱氏网编辑部）

2026年8月5日